EBRT8E45B - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SMB
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 45 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 8 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 200 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 0.43 В
- Обратный ток утечки, Ir: 500 мкА
- Емкость перехода, Cj: 8 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод EBRT8E45B:
Диод EBRT8E45B можно заменить на:
Нет элементов для замены