GSDB1200 - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SMA
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 200 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 1 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 30 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 0.88 В
- Обратный ток утечки, Ir: 200 мкА
- Емкость перехода, Cj: 35 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 125 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод GSDB1200:
Диод GSDB1200 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| EBRP10L200B |
SMD |
200 |
10 |
150 |
0.88 |
100 |
10 |
150 |
SMB |
| EBRP10L200T |
SMD |
200 |
10 |
150 |
0.87 |
100 |
10 |
150 |
TO-277 |
| SK1C0A |
SMD |
200 |
1 |
30 |
0.85 |
100 |
35 |
150 |
SMA |
| SK320L |
SMD |
200 |
3 |
80 |
0.85 |
50 |
12 |
150 |
SMB |
| SK520L |
SMD |
200 |
5 |
120 |
0.85 |
50 |
12 |
150 |
SMB |
| SL320 |
SMD |
200 |
3 |
80 |
0.85 |
50 |
28 |
150 |
SMC |
| SL320F |
SMD |
200 |
3 |
80 |
0.85 |
50 |
28 |
150 |
SMAF |
| SM8200SD2 |
SMD |
200 |
8 |
125 |
0.87 |
200 |
8 |
150 |
TO-263 |
| SS320LAF |
SMD |
200 |
3 |
80 |
0.85 |
50 |
28 |
150 |
SMAF |
| SS5200L |
SMD |
200 |
5 |
110 |
0.85 |
100 |
28 |
150 |
SMA |
| SS520L |
SMD |
200 |
5 |
110 |
0.85 |
100 |
28 |
150 |
SMA |