HSM1100G - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SMBG
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 100 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 1 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 40 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 0.84 В
- Обратный ток утечки, Ir: 100 мкА
- Емкость перехода, Cj: 45 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 175 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод HSM1100G:
Диод HSM1100G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| HSM1100J |
SMD |
100 |
1 |
40 |
0.84 |
100 |
45 |
175 |
DO-214BA |
| MSG110 |
PTH |
100 |
1 |
50 |
0.81 |
100 |
45 |
175 |
DO-41 |