LS2B1H - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SMAF
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 110 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 2 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 50 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 0.8 В
- Обратный ток утечки, Ir: 500 мкА
- Емкость перехода, Cj: -
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 175 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод LS2B1H:
Диод LS2B1H можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CDBC2150LR-HF |
SMD |
150 |
2 |
70 |
0.45 |
500 |
30 |
175 |
SMC |
| CDBC2200LR-HF |
SMD |
200 |
2 |
70 |
0.55 |
500 |
30 |
175 |
SMC |
| SS315L |
SMD |
150 |
3 |
80 |
0.8 |
500 |
380 |
175 |
SMA |
| SS315LF |
SMD |
150 |
3 |
80 |
0.8 |
200 |
180 |
175 |
SMAF |
| SS320L |
SMD |
200 |
3 |
80 |
0.8 |
500 |
380 |
175 |
SMA |
| SS320LF |
SMD |
200 |
3 |
80 |
0.8 |
200 |
180 |
175 |
SMAF |