LV4200E - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-277
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 200 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 4 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 100 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 0.84 В
- Обратный ток утечки, Ir: 1 мкА
- Емкость перехода, Cj: -
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод LV4200E:
Диод LV4200E можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| PDS4200H |
SMD |
200 |
4 |
100 |
0.84 |
1 |
- |
175 |
PowerDI5 |
| PDS4200HQ |
SMD |
200 |
4 |
100 |
0.84 |
1 |
- |
175 |
PowerDI5 |