MBR200100R - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: в корпусе типа силовой Модуль
- Корпус: HALFPACK
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 100 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 200 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 3000 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 0.84 В
- Обратный ток утечки, Ir: 5000 мкА
- Емкость перехода, Cj: -
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 175 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод MBR200100R:
Диод MBR200100R можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MBR200100 |
Модуль |
100 |
200 |
3000 |
0.84 |
5000 |
- |
175 |
HALFPACK |