MBR5H100MFST1G - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8FL
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 100 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 5 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 200 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 0.73 В
- Обратный ток утечки, Ir: 100 мкА
- Емкость перехода, Cj: -
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 175 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод MBR5H100MFST1G:
Диод MBR5H100MFST1G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ | ТИП | Vr, В | Ifa, А | Ifsm, А | Vf, В | Ir, мкА | Cj, пФ | Tj, гр.Ц | КОРПУС |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 8TT100 | PTH | 100 | 8 | 210 | 0.58 | 65 | 520 | 175 | TO-220AC |
| CSL5100B-A | SMD | 100 | 5 | 200 | 0.72 | 100 | - | 175 | SMB |
| CSL5100BG-A | SMD | 100 | 5 | 200 | 0.72 | 100 | - | 175 | SMB |
| CSRL5100 | PTH | 100 | 5 | 200 | 0.72 | 100 | - | 175 | DO-27 |
| CSRL5100G | PTH | 100 | 5 | 200 | 0.72 | 100 | - | 175 | DO-27 |
| MBR5H100MFST3G | SMD | 100 | 5 | 200 | 0.73 | 100 | - | 175 | SO-8FL |
| NRVB5H100MFST1G | SMD | 100 | 5 | 200 | 0.73 | 100 | - | 175 | SO-8FL |
| NRVB5H100MFST3G | SMD | 100 | 5 | 200 | 0.73 | 100 | - | 175 | SO-8FL |
| STPST10H100SB-TR | SMD | 100 | 10 | 210 | 0.715 | 26 | - | 175 | TO-252 |
| STPST10H100SF | SMD | 100 | 10 | 235 | 0.7 | 26 | - | 175 | TO-277A |
| STPST12H100SF | SMD | 100 | 12 | 230 | 0.71 | 24 | - | 175 | TO-277A |