MBR660G - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 60 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 6 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 100 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 0.8 В
- Обратный ток утечки, Ir: 100 мкА
- Емкость перехода, Cj: 280 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод MBR660G:
Диод MBR660G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BD10100YS |
PTH |
100 |
10 |
100 |
0.8 |
100 |
200 |
150 |
TO-251AA |
| BD1060YS |
PTH |
60 |
10 |
100 |
0.74 |
100 |
280 |
150 |
TO-251AA |
| BD1080YS |
PTH |
80 |
10 |
100 |
0.8 |
100 |
200 |
150 |
TO-251AA |
| MBR860G |
SMD |
60 |
8 |
150 |
0.7 |
100 |
280 |
150 |
TO-263 |
| MBRF760 |
PTH |
60 |
7.5 |
150 |
0.75 |
100 |
280 |
150 |
ITO-220AC |
| SRAS860 |
SMD |
60 |
8 |
150 |
0.7 |
100 |
165 |
150 |
TO-263 |