MBR8100G - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 100 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 8 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 150 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 0.85 В
- Обратный ток утечки, Ir: 100 мкА
- Емкость перехода, Cj: 200 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод MBR8100G:
Диод MBR8100G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SR8100GP |
PTH |
100 |
8 |
150 |
0.85 |
100 |
150 |
150 |
DO-27 |
| SRAF10100 |
PTH |
100 |
10 |
200 |
0.85 |
100 |
165 |
150 |
ITO-220AC |
| SS15100 |
SMD |
100 |
15 |
250 |
0.85 |
50 |
200 |
150 |
TO-277B |