MBR850G - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 50 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 8 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 150 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 0.7 В
- Обратный ток утечки, Ir: 100 мкА
- Емкость перехода, Cj: 280 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод MBR850G:
Диод MBR850G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MBR860G |
SMD |
60 |
8 |
150 |
0.7 |
100 |
280 |
150 |
TO-263 |
| SRAS850 |
SMD |
50 |
8 |
150 |
0.7 |
100 |
165 |
150 |
TO-263 |
| SRAS860 |
SMD |
60 |
8 |
150 |
0.7 |
100 |
165 |
150 |
TO-263 |