MSICSN10120 - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-257
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 1200 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 10 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 50 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 1.8 В
- Обратный ток утечки, Ir: 100 мкА
- Емкость перехода, Cj: 1200 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 225 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод MSICSN10120:
Диод MSICSN10120 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MSICSS10120 |
SMD |
1200 |
10 |
50 |
1.8 |
100 |
1200 |
225 |
SMD0.5 |
| MSICST10120 |
PTH |
1200 |
10 |
50 |
1.8 |
100 |
1200 |
225 |
TO-39 |