NBRB8H100T4G - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 100 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 8 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 250 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 0.71 В
- Обратный ток утечки, Ir: 4.5 мкА
- Емкость перехода, Cj: 600 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 175 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод NBRB8H100T4G:
Диод NBRB8H100T4G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MBRB8H100T4G |
SMD |
100 |
8 |
250 |
0.71 |
4.5 |
600 |
175 |
TO-263 |