NRVBS410LT3G - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SMC
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 10 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 4 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 150 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 0.33 В
- Обратный ток утечки, Ir: 5000 мкА
- Емкость перехода, Cj: -
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 125 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод NRVBS410LT3G:
Диод NRVBS410LT3G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MBRS410LT3 |
SMD |
10 |
4 |
150 |
0.33 |
5000 |
- |
150 |
SMC |
| MBRS410LT3G |
SMD |
10 |
4 |
150 |
0.33 |
5000 |
- |
150 |
SMC |