PMEG2010EV - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-666
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 20 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 1 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 8 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 0.55 В
- Обратный ток утечки, Ir: 50 мкА
- Емкость перехода, Cj: 25 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 125 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод PMEG2010EV:
Диод PMEG2010EV можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BAT960 |
SMD |
23 |
1 |
8 |
0.55 |
50 |
25 |
125 |
SOT-666 |
| GA0603B1040 |
SMD |
40 |
1 |
30 |
0.53 |
50 |
20 |
150 |
DFN1.6X0.8-2L |
| MSCD202 |
SMD |
20 |
2 |
10 |
0.45 |
25 |
15 |
150 |
SOT-323 |
| MSCD204 |
SMD |
40 |
2 |
10 |
0.5 |
25 |
15 |
150 |
SOT-323 |