SDB1150 - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SMA
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 150 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 1 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 75 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 0.83 В
- Обратный ток утечки, Ir: 500 мкА
- Емкость перехода, Cj: 35 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод SDB1150:
Диод SDB1150 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| EBRP10L150T |
SMD |
150 |
10 |
180 |
0.83 |
100 |
10 |
150 |
TO-277 |
| EBRT10E150B |
SMD |
150 |
10 |
150 |
0.83 |
200 |
10 |
150 |
SMB |
| EBRT10E150C |
SMD |
150 |
10 |
150 |
0.83 |
200 |
10 |
150 |
SMC |
| EBRT10L150C |
SMD |
150 |
10 |
150 |
0.83 |
200 |
10 |
150 |
SMC |