STB20120 - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 120 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 20 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 250 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 0.88 В
- Обратный ток утечки, Ir: 500 мкА
- Емкость перехода, Cj: 1000 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод STB20120:
Диод STB20120 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MS20180 |
PTH |
180 |
20 |
250 |
0.85 |
100 |
310 |
175 |
TO-220AC |
| MS20200 |
PTH |
200 |
20 |
250 |
0.85 |
100 |
310 |
175 |
TO-220AC |
| MS40180 |
PTH |
180 |
40 |
400 |
0.83 |
500 |
625 |
175 |
TO-3P |
| MS40200 |
PTH |
200 |
40 |
400 |
0.83 |
500 |
625 |
175 |
TO-3P |
| ST20120 |
PTH |
120 |
20 |
250 |
0.88 |
500 |
1000 |
150 |
TO-220AC |
| STF20120 |
PTH |
120 |
20 |
250 |
0.88 |
500 |
1000 |
150 |
ITO-220AC |