STPST8H100SF - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-277A
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 100 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 8 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 200 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 0.695 В
- Обратный ток утечки, Ir: 17 мкА
- Емкость перехода, Cj: -
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 175 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод STPST8H100SF:
Диод STPST8H100SF можно заменить на:
Нет элементов для замены