TSSD10L100SW - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 100 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 10 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 200 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 0.8 В
- Обратный ток утечки, Ir: 50 мкА
- Емкость перехода, Cj: 540 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод TSSD10L100SW:
Диод TSSD10L100SW можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 1N6843 |
SMD |
100 |
10 |
200 |
0.8 |
50 |
400 |
150 |
SMD0.5 |
| SGC101BSH |
SMD |
100 |
10 |
250 |
0.8 |
50 |
340 |
150 |
TO-277 |
| SR15L100 |
PTH |
100 |
15 |
275 |
0.6 |
50 |
450 |
150 |
R-6 |
| SR15L150 |
PTH |
150 |
15 |
275 |
0.8 |
50 |
450 |
150 |
R-6 |
| SR15L200 |
PTH |
200 |
15 |
275 |
0.8 |
50 |
450 |
150 |
R-6 |
| TSSD10L150SW |
SMD |
150 |
10 |
200 |
0.71 |
20 |
325 |
150 |
TO-252 |