Тринисторы
Тринистор (SCR - Silicon-Controlled Rectifier, Semiconductor Controlled Rectifier) - тиристор, имеющий три вывода: анод, катод и управляющий электрод. Последний присоединен к одному из промежуточных полупроводниковых слоев. Обычно это слой p, образующий переход с катодом, поэтому напряжение открытия в таких тринисторах необходимо подавать положительное относительно катода.
Переход тринистора (как и всех тиристоров) в открытое состояние происходит сразу полностью без промежуточных состояний - лавинообразно. После чего он будет оставаться открытым, даже если отключить сигнал от управляющего электрода. Закрыть тиристор можно уменьшив проходящий через него ток ниже определенного значения, называемого током удержания. При работе с переменным током это происходит в конце его полуволны. А с постоянным - требует принятия специальных схемных решений.
Есть и так называемые запираемые тринисторы, которые закрываются при подаче на управляющий электрод напряжения противоположной полярности. Но они появились позже, когда уже применялись транзисторы MOSFET и IGBT, поэтому менее распространены и только для управления очень мощными нагрузками.
Основные характеристики тринисторов
- Максимальное прямое и обратное напряжение, Vrm
- Repetitive Peak Off-state Forward and Reverse Voltage. Максимальное напряжение в вольтах, которое может сдерживать закрытый тиристор в прямом или обратном направлении без пробоя перехода. Причем у некоторых тиристоров эти напряжения могут отличаться, в этом случае указано то, которое меньше.
- Максимальный средний прямой ток, Itav
- Maximum Average On-state Current. Максимальный постоянный ток в амперах, протекающий через открытый тиристор, при котором не наступит его тепловой пробой.
- Максимальный переменный ток RMS, Itrms
- Maximum RMS On-state Current. Максимальный действующий переменный ток (RMS) в амперах, протекающий через открытый тиристор, при котором не наступит его тепловой пробой.
- Пиковый импульсный прямой ток, Itsm
- Peak Surge Current. Максимальный пиковый кратковременный переменный ток в амперах длительностью, как правило, один период.
- Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии, dI/dt
- Rate of rise of turn-on current. Максимальная скорость нарастания тока через тиристор после его открытия в амперах в микросекунду, которую он может выдержать.
- Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии, dV/dt
- Critical rate-of-rise of off-state voltage. Максимальная скорость нарастания напряжения на тиристоре в вольтах в микросекунду, которая не приведет к открытию тиристора без сигнала на управляющем электроде из-за емкости p-n-перехода.
- Отпирающий ток управления, Igt
- Gate-Trigger Current. Миниимальное значение тока в миллиамперах, которое необходимо пропустить через управляющий электрод для перевода тиристора в открытое состояние.
- Отпирающее напряжение управления, Vgt
- Gate-Trigger Voltage. Напряжение на управляющем электроде в вольтах, при котором достигается отпирающий ток Igt.
- Прямое напряжение в открытом состоянии, Vtm
- On-state Voltage или Forward Voltage Drop. Напряжение в вольтах, падающее на открытом тиристоре из-за сопротивления перехода, при прохождении через него максимального прямого тока Itav.
- Ток удержания, Ih
- Holding Current. Минимальное значение тока в миллиамперах, проходящего через открытый тиристор, при котором он сохраняет открытое состояние.