Тринистор MCR12DSNT4G
MCR12DSNT4G - Тринистор
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK-3
Основные характеристики:
- Максимальное прямое и обратное напряжение, Vrm: 800 В
- Максимальный средний прямой ток, Itav: 7.6 А
- Максимальный переменный ток RMS, Itrms: 12 А
- Пиковый импульсный прямой ток, Itsm: 100 А
- Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии, dI/dt: -
- Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии, dV/dt: 10 В/мкС
- Отпирающий ток управления, Igt: 0.2 мА
- Отпирающее напряжение управления, Vgt: 1 В
- Прямое напряжение в открытом состоянии, Vtm: 1.9 В
- Ток удержания, Ih: 6 мА
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 110 гр.Ц
Тринистор MCR12DSNT4G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vrm, В |
Itav, А |
Itrms, А |
Itsm, А |
dI/dt, А/мкС |
dV/dt, В/мкС |
Igt, мА |
Vgt, В |
Vtm, В |
Ih, мА |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MCR12DSN |
SMD |
800 |
7.6 |
12 |
100 |
- |
10 |
0.2 |
1 |
1.9 |
6 |
110 |
DPAK-3 |