Справочник электронных компонентов

Транзистор 2N3789SM

2N3789SM - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-3

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 150 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 60 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 7 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 10 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 4 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 25
Емкость коллекторного перехода, Cc: -
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 200 гр.Ц

Транзистор 2N3789SM можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2N3789	PTH	PNP	150	60	60	7	10	4	25	-	200	TO-3
2N3790	PTH	PNP	150	80	80	7	10	4	25	-	200	TO-3
2N3790SM	SMD	PNP	150	80	80	7	10	4	25	-	200	TO-252
2N3790X	SMD	PNP	150	80	80	7	10	4	25	-	200	TO-252
2N3791	PTH	PNP	150	60	60	7	10	4	50	-	200	TO-204AA
2N3791SM	SMD	PNP	150	60	60	7	10	4	50	-	200	TO-252
2N3792	PTH	PNP	150	80	80	7	10	4	50	-	200	TO-204AA
2N3792LP	PTH	PNP	150	80	80	7	10	4	50	-	200	TO-3P
2N3792SM	SMD	PNP	150	80	80	7	10	4	50	-	200	TO-252
MJ15027	PTH	PNP	250	200	200	7	16	4	25	500	200	TO-3