Транзистор 2N5666U3

2N5666U3 - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: U3

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 35 Вт
• Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 250 В
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 200 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 6 В
• Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 5 А
• Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 20 МГц
• Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 40
• Емкость коллекторного перехода, Cc: 120 пФ
• Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 200 гр.Ц

Транзистор 2N5666U3 можно заменить на:

Нет элементов для замены