Справочник электронных компонентов

Транзистор 2N6301SMD

2N6301SMD - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-276AB

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 75 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 80 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 8 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 4 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 750
Емкость коллекторного перехода, Cc: 200 пФ
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 200 гр.Ц

Транзистор 2N6301SMD можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2N6056	PTH	NPN	100	80	80	5	8	4	750	200	200	TO-3
2N6301	PTH	NPN	75	80	80	5	8	4	750	200	200	TO-66
2N6301SMD05	SMD	NPN	75	80	80	5	8	4	750	200	200	TO-276AA
2N6385	PTH	NPN	100	80	80	5	10	20	1000	200	200	TO-3
2N6385SMD05	SMD	NPN	100	80	80	5	10	20	1000	200	200	TO-276AA