Транзистор 2SA2013-TD-E

2SA2013-TD-E - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SOT-89

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 1.3 Вт
• Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 50 В
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 50 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 6 В
• Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 4 А
• Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 360 МГц
• Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 200
• Емкость коллекторного перехода, Cc: 24 пФ
• Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор 2SA2013-TD-E можно заменить на:

Нет элементов для замены