Справочник электронных компонентов

Транзистор 2SB1030

2SB1030 - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: SOT-33

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 0.3 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 30 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: -
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 8 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 0.5 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: -
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 160
Емкость коллекторного перехода, Cc: -
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 185 гр.Ц

Транзистор 2SB1030 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2SB1014	PTH	PNP	0.7	60	-	8	1	-	160	-	185	TO-92
2SB1030A	PTH	PNP	0.3	50	-	8	0.5	-	160	-	185	SOT-33
2SB1041	PTH	PNP	0.9	80	-	12	1	-	180	-	185	TO-92
2SB1042	PTH	PNP	1	80	-	12	1	-	160	-	185	SOT-33
2SB1189R	SMD	PNP	0.5	80	80	10	0.7	100	180	-	195	SOT-89
2SB1307	PTH	PNP	0.3	30	30	9	5	-	180	-	250	SOT-33
2SB1308R	SMD	PNP	0.5	30	30	9	3	120	180	-	200	SOT-89
2SB1456	PTH	PNP	1	150	150	8	1	60	260	-	185	SOT-33