Транзистор 2SB1120G

2SB1120G - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SOT-89

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 1 Вт
• Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 20 В
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 10 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 7 В
• Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 2.5 А
• Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 250 МГц
• Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 280
• Емкость коллекторного перехода, Cc: 70 пФ
• Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор 2SB1120G можно заменить на:

Нет элементов для замены