Справочник электронных компонентов

Транзистор 2SB1121R

2SB1121R - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SOT-89

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 1 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 30 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 25 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 7 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 2 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 150 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 100
Емкость коллекторного перехода, Cc: 32 пФ
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор 2SB1121R можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2SB1121	SMD	PNP	1	30	25	7	2	150	100	32	175	SOT-89
2SB1121S	SMD	PNP	1	30	25	7	2	150	140	32	175	SOT-89
2SB1121T	SMD	PNP	1	30	25	7	2	150	200	32	175	SOT-89
2SB1121U	SMD	PNP	1	30	25	7	2	150	280	32	175	SOT-89
2SB1123R	SMD	PNP	1	60	50	7	2	150	100	22	175	SOT-89
2SB1123S	SMD	PNP	1	60	50	7	2	150	140	22	175	SOT-89
2SB1123T	SMD	PNP	1	60	50	7	2	150	200	22	175	SOT-89
2SB1123U	SMD	PNP	1	60	50	7	2	150	280	22	175	SOT-89