Справочник электронных компонентов

Транзистор 2SB1132Q

2SB1132Q - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SOT-89

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 0.5 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 40 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 40 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 6 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 1 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 150 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 120
Емкость коллекторного перехода, Cc: -
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор 2SB1132Q можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2SB1122S	SMD	PNP	1	60	50	7	1	150	140	12	175	SOT-89
2SB1122T	SMD	PNP	1	60	50	7	1	150	200	12	175	SOT-89
2SB1122U	SMD	PNP	1	60	50	7	1	150	280	12	175	SOT-89
2SB1123S	SMD	PNP	1	60	50	7	2	150	140	22	175	SOT-89
2SB1123T	SMD	PNP	1	60	50	7	2	150	200	22	175	SOT-89
2SB1123U	SMD	PNP	1	60	50	7	2	150	280	22	175	SOT-89
2SB1124S	SMD	PNP	1	60	50	7	3	150	140	39	175	SOT-89
2SB1124T	SMD	PNP	1	60	50	7	3	150	200	39	175	SOT-89
2SB1124U	SMD	PNP	1	60	50	7	3	150	280	39	175	SOT-89
2SB1132R	SMD	PNP	0.5	40	40	6	1	150	180	-	175	SOT-89