Транзистор 2SB1216S-TL-H
2SB1216S-TL-H - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 1 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 120 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 100 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 6 В
- Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 4 А
- Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 130 МГц
- Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 140
- Емкость коллекторного перехода, Cc: 65 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор 2SB1216S-TL-H можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pc, Вт |
Vcb, В |
Vce, В |
Veb, В |
Ic, А |
Ft, МГц |
Hfe |
Cc, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2SB1216S-E |
PTH |
PNP |
1 |
120 |
100 |
6 |
4 |
130 |
140 |
65 |
150 |
TO-251 |
| 2SB1216S-H |
PTH |
PNP |
1 |
120 |
100 |
6 |
4 |
130 |
140 |
65 |
150 |
TO-251 |
| 2SB1216S-TL-E |
SMD |
PNP |
1 |
120 |
100 |
6 |
4 |
130 |
140 |
65 |
150 |
TO-252 |
| 2SB1216T-E |
PTH |
PNP |
1 |
120 |
100 |
6 |
4 |
130 |
200 |
65 |
150 |
TO-251 |
| 2SB1216T-H |
PTH |
PNP |
1 |
120 |
100 |
6 |
4 |
130 |
200 |
65 |
150 |
TO-251 |
| 2SB1216T-TL-E |
SMD |
PNP |
1 |
120 |
100 |
6 |
4 |
130 |
200 |
65 |
150 |
TO-252 |
| 2SB1216T-TL-H |
SMD |
PNP |
1 |
120 |
100 |
6 |
4 |
130 |
200 |
65 |
150 |
TO-252 |