Справочник электронных компонентов

Транзистор 2SB1316

2SB1316 - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-218

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 10 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 100 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 6 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 2 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: -
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 3000
Емкость коллекторного перехода, Cc: -
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор 2SB1316 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2SB1100	PTH	PNP	30	100	100	7	10	-	6000	-	175	TO-220
2SB1107	PTH	PNP	40	120	120	6	10	-	5000	-	175	TO-220
2SB1108	PTH	PNP	50	120	120	6	8	-	5000	-	175	TO-220
2SB1113	PTH	PNP	40	120	120	7	8	-	5000	-	175	TO-126
2SB1226	PTH	PNP	20	110	100	7	3	10	4000	-	175	TO-220
2SB1227	PTH	PNP	25	110	100	7	5	10	4000	-	175	TO-220
2SB1228	PTH	PNP	30	110	100	7	8	10	4000	-	175	TO-220
2SB1250	PTH	PNP	35	100	100	12	3	-	15000	-	175	TO-220
2SB1251	PTH	PNP	40	110	110	8	4	-	15000	-	175	TO-220
2SB1252	PTH	PNP	45	120	120	8	5	-	15000	-	175	TO-220
2SB638H	PTH	PNP	80	100	100	7	10	-	8000	-	200	TO-3
2SB639H	PTH	PNP	80	100	100	7	10	-	8000	-	200	TO-3
2SB650H	PTH	PNP	100	100	100	7	16	-	8000	-	200	TO-3