Справочник электронных компонентов

Транзистор 2SB649C

2SB649C - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-126

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 20 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 160 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 120 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: -
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 1.5 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 140 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 100
Емкость коллекторного перехода, Cc: 27 пФ
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор 2SB649C можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2SA1930	PTH	PNP	20	180	180	5	2	200	100	26	150	TO-220NIS
2SA1930I	PTH	PNP	20	180	180	5	2	200	100	26	150	TO-251
2SA2190	PTH	PNP	20	180	180	5	2	200	100	26	150	TO-220SIS
2SB649AC	PTH	PNP	20	180	160	-	1.5	140	100	27	150	TO-126
2SB649D	PTH	PNP	20	160	120	-	1.5	140	160	27	150	TO-126
BTB1236AFP	PTH	PNP	20	180	160	5	1.5	180	180	24	150	TO-220FP
BTB1236AT3	PTH	PNP	20	180	160	5	1.5	140	160	27	150	TO-126
CSB649AC	PTH	PNP	20	180	160	5	1.5	140	100	27	150	TO-126
CSB649C	PTH	PNP	20	180	120	5	1.5	140	100	27	150	TO-126
CSB649D	PTH	PNP	20	180	120	5	1.5	140	160	27	150	TO-126
HSB649T	PTH	PNP	20	180	160	5	1.5	140	100	27	150	TO-126