Справочник электронных компонентов

Транзистор 2SB649TA

2SB649TA - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SOT-89

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 0.5 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 180 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 160 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 1.5 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 140 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 60
Емкость коллекторного перехода, Cc: 27 пФ
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор 2SB649TA можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
BTB1236A3	PTH	PNP	0.9	180	160	5	1.5	140	100	27	150	TO-92
BTB1236AK3	PTH	PNP	0.9	180	160	7	1.5	180	100	24	150	TO-92L
BTB1236AL3	SMD	PNP	5	180	160	5	1.5	140	60	27	150	SOT-223
BTB1236AM3	SMD	PNP	2	180	160	5	1.5	180	180	24	150	SOT-89
WTM649A-B	SMD	PNP	1	180	160	5	1.5	140	60	27	150	SOT-89
WTM649A-C	SMD	PNP	1	180	160	5	1.5	140	100	27	150	SOT-89