Справочник электронных компонентов

Транзистор 2SB670A

2SB670A - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-3

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 60 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 110 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 90 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 5 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: -
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 8000
Емкость коллекторного перехода, Cc: -
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор 2SB670A можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2SB1254	PTH	PNP	70	160	160	5	7	-	15000	-	175	TO-126
2SB1255	PTH	PNP	100	160	160	5	8	-	15000	-	175	TO-126
2SB671A	PTH	PNP	80	120	100	5	7	-	8000	-	150	TO-3
2SB672	PTH	PNP	110	120	120	5	8	-	8000	-	150	TO-3
2SB672A	PTH	PNP	110	140	120	5	8	-	8000	-	150	TO-3
2SB685	PTH	PNP	80	110	110	5	7	15	12000	-	150	TO-218
KTB2530	PTH	PNP	100	160	150	5	10	50	15000	-	150	TO-3P
MJ11017	PTH	PNP	175	150	150	5	15	-	8000	600	175	TO-3
MJ11019	PTH	PNP	175	200	200	5	15	-	8000	600	175	TO-3
MJ11021	PTH	PNP	175	250	250	5	15	-	8000	600	175	TO-3