Транзистор 2SB806KQ
2SB806KQ - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-89
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 2 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 120 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 120 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
- Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 0.7 А
- Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 35 МГц
- Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 135
- Емкость коллекторного перехода, Cc: 17 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор 2SB806KQ можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pc, Вт |
Vcb, В |
Vce, В |
Veb, В |
Ic, А |
Ft, МГц |
Hfe |
Cc, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2SB806KP |
SMD |
PNP |
2 |
120 |
120 |
5 |
0.7 |
35 |
200 |
17 |
175 |
SOT-89 |