Транзистор 2SB850

2SB850 - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: TO-218

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 50 Вт
• Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 40 В
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 40 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 7 В
• Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 10 А
• Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 7 МГц
• Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 80
• Емкость коллекторного перехода, Cc: 340 пФ
• Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор 2SB850 можно заменить на:

Нет элементов для замены