Транзистор 2SC5551AE-TD-E
2SC5551AE-TD-E - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-89
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 1.3 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 40 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 30 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 2 В
- Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 0.3 А
- Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 3500 МГц
- Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 90
- Емкость коллекторного перехода, Cc: 2.9 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор 2SC5551AE-TD-E можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pc, Вт |
Vcb, В |
Vce, В |
Veb, В |
Ic, А |
Ft, МГц |
Hfe |
Cc, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2SC5551AF-TD-E |
SMD |
NPN |
1.3 |
40 |
30 |
2 |
0.3 |
3500 |
135 |
2.9 |
150 |
SOT-89 |