Справочник электронных компонентов

Транзистор 2SCR552P

2SCR552P - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: MPT3

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 0.5 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 30 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 6 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 3 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 280 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 200
Емкость коллекторного перехода, Cc: 15 пФ
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор 2SCR552P можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2SC5566-TD-E	SMD	NPN	3.5	100	50	6	4	400	200	15	150	SOT-89
2SC5964-TD-E	SMD	NPN	3.5	100	50	6	3	380	200	13	150	SOT-89
2SC5964-TD-H	SMD	NPN	3.5	100	50	6	3	380	200	13	150	SOT-89
2SCR552PFRA	SMD	NPN	0.5	30	30	6	3	280	200	15	150	SOT-89
BTC5706A3	PTH	NPN	0.8	80	50	6	5	400	200	15	150	TO-92
CPH3205	SMD	NPN	0.9	100	50	6	3	380	200	13	150	CPH3
KTC3552T	SMD	NPN	0.9	80	50	6	3	380	200	13	150	TSM
MCH3205	SMD	NPN	0.8	80	50	6	3	380	200	13	150	MCPH3