Справочник электронных компонентов

Транзистор 2SD1183

2SD1183 - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-3

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 50 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 1200 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 800 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: -
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 3 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: -
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 60
Емкость коллекторного перехода, Cc: -
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор 2SD1183 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2SC3216	PTH	NPN	200	1200	800	7	20	-	90	-	200	TO-3
2SC3682	PTH	NPN	120	1500	800	5	7	-	80	-	200	TO-218
2SC3683	PTH	NPN	150	1500	800	5	8	-	70	-	200	TO-218
2SC4123	PTH	NPN	60	1500	800	-	7	-	70	-	175	TO-218
2SC4437	PTH	NPN	50	1500	800	-	5	-	120	-	200	TO-218
2SC4438	PTH	NPN	50	1500	800	-	5	-	200	-	200	TO-218
2SD1184	PTH	NPN	50	1500	800	-	3	-	80	-	175	TO-3
2SD1185	PTH	NPN	50	1200	800	-	5	-	60	-	175	TO-3
2SD1186	PTH	NPN	50	1200	800	-	5	-	80	-	175	TO-3