Справочник электронных компонентов

Транзистор 2SD2560O

2SD2560O - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-3P

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 130 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 150 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 150 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 15 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 70 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 5000
Емкость коллекторного перехода, Cc: 120 пФ
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор 2SD2560O можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2SD2560P	PTH	NPN	130	150	150	5	15	70	6500	120	150	TO-3P
2SD2560Y	PTH	NPN	130	150	150	5	15	70	15000	120	150	TO-3P
2SD2561O	PTH	NPN	200	150	150	5	17	70	5000	120	150	MT200
2SD2561P	PTH	NPN	200	150	150	5	17	70	6500	120	150	MT200
2SD2561Y	PTH	NPN	200	150	150	5	17	70	15000	120	150	MT200