Справочник электронных компонентов

Транзистор 2SD605D

2SD605D - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-3

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 80 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 600 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 500 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 6 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 8 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: -
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 200
Емкость коллекторного перехода, Cc: -
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор 2SD605D можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2SD521	PTH	NPN	100	700	550	6	8	-	200	-	150	TO-3
2SD605	PTH	NPN	80	600	500	6	8	-	200	-	150	TO-3
2SD606	PTH	NPN	100	600	500	6	15	-	200	-	150	TO-3
BUW81	PTH	NPN	80	600	600	8	10	-	200	-	150	TO-3
BUW81A	PTH	NPN	80	600	800	8	10	-	200	-	150	TO-3
TIPL777	PTH	NPN	180	950	600	6	20	-	1000	200	150	TO-3
TIPL777A	PTH	NPN	180	1050	700	6	20	-	1000	200	150	TO-3
TIPL777B	PTH	NPN	180	1150	800	6	20	-	1000	200	150	TOP-3