Справочник электронных компонентов

Транзистор 3DD13002E

3DD13002E - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SOT-89

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 0.5 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 600 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 400 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 6 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 1 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 5 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 30
Емкость коллекторного перехода, Cc: -
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор 3DD13002E можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2N5097S	PTH	NPN	2	600	450	6	1	150	50	50	175	TO-39
2SC3632-Z	SMD	NPN	2	600	600	7	1	30	30	14	150	TO-252
2SC4942-1	SMD	NPN	2	600	600	7	1	30	30	15	150	SOT-89
2SC4942-2	SMD	NPN	2	600	600	7	1	30	40	15	150	SOT-89
2SC4942-3	SMD	NPN	2	600	600	7	1	30	60	15	150	SOT-89
3DD13002F	SMD	NPN	0.5	600	400	6	1	5	35	-	150	SOT-89
3DD13003E	SMD	NPN	0.5	700	400	9	1.5	5	30	-	150	SOT-89
3DD13003F	SMD	NPN	0.5	700	400	9	1.5	5	35	-	150	SOT-89
3DD3040_A1	PTH	NPN	0.8	700	450	9	2	5	30	-	150	TO-92
3DD3040A1	PTH	NPN	0.8	700	450	9	2	5	30	-	150	TO-92
SFT6800	PTH	NPN	5	800	400	10	3	25	40	40	200	TO-5