Справочник электронных компонентов

Транзистор BD112

BD112 - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-3

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 20 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 60 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 12 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 30 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 50
Емкость коллекторного перехода, Cc: -
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 165 гр.Ц

Транзистор BD112 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2SC2428	PTH	NPN	120	180	180	5	12	30	50	200	175	TO-3
2SC3256	PTH	NPN	70	80	60	5	15	100	70	-	200	TO-247
2SC3256Q	PTH	NPN	70	80	60	5	15	100	70	-	200	TO-247
2SC3256R	PTH	NPN	70	80	60	5	15	100	100	-	200	TO-247
2SC3256S	PTH	NPN	70	80	60	5	15	100	120	-	200	TO-247
2SC4029	PTH	NPN	150	230	230	5	15	30	55	270	175	TO-264
2SC4029O	PTH	NPN	150	230	230	5	15	30	80	270	175	TO-264
2SC4029R	PTH	NPN	150	230	230	5	15	30	55	270	175	TO-264