Справочник электронных компонентов

Транзистор BDS14SMD

BDS14SMD - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-276AB

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 43.75 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 80 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 15 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 3 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 40
Емкость коллекторного перехода, Cc: -
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 200 гр.Ц

Транзистор BDS14SMD можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2ST2121	PTH	PNP	250	250	250	6	17	25	80	-	200	TO-3
BDS14SMD05	SMD	PNP	43.75	80	80	5	15	3	40	-	200	TO-276AA
BDS15SMD	SMD	PNP	43.75	100	100	5	15	3	40	-	200	TO-276AB
BDS15SMD05	SMD	PNP	43.75	100	100	5	15	3	40	-	200	TO-276AA
BDS28B	PTH	PNP	150	90	90	5	30	4	200	-	200	TO-254
BDS28C	PTH	PNP	150	120	120	5	30	4	200	-	200	TO-254
MJ11015G	PTH	PNP	200	120	120	5	30	4	200	-	200	TO-3
SPT5330	Болт	PNP	80	150	90	8	30	80	40	500	200	TO-61