Справочник электронных компонентов

Транзистор BDS16SM

BDS16SM - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-252

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 90 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: -
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 120 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: -
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 15 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 30 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 40
Емкость коллекторного перехода, Cc: -
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 200 гр.Ц

Транзистор BDS16SM можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2N5584	Болт	NPN	100	225	180	8	30	70	40	-	200	TO-61
2N6310	Болт	NPN	400	140	120	6	90	30	40	1000	200	TO-59
2N6311	Болт	NPN	400	160	140	6	90	30	40	1000	200	TO-59
2N6320	PTH	NPN	300	140	120	6	80	30	40	1000	200	TO-3
2N6321	PTH	NPN	300	160	140	6	80	30	40	1000	200	TO-3
BDS16	PTH	NPN	90	-	120	-	15	30	40	-	200	TO-220
BDS17	PTH	NPN	90	-	150	-	15	30	40	-	200	TO-220
BDS17SM	SMD	NPN	90	-	150	-	15	30	40	-	200	TO-252
BUX35	PTH	NPN	140	250	120	6	15	70	40	-	200	TO-3
BUX36	PTH	NPN	140	250	200	6	15	70	40	-	200	TO-3
BUY94	PTH	NPN	100	750	300	-	15	30	45	25	200	TO-3
BUY95	PTH	NPN	100	600	250	-	15	30	40	25	200	TO-3
BUY96	PTH	NPN	100	450	275	-	15	30	45	25	200	TO-3