Справочник электронных компонентов

Транзистор BDS16XSMD

BDS16XSMD - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-276AB

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 43.75 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 120 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 120 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 15 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 30 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 40
Емкость коллекторного перехода, Cc: -
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 200 гр.Ц

Транзистор BDS16XSMD можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2N5584	Болт	NPN	100	225	180	8	30	70	40	-	200	TO-61
2N6310	Болт	NPN	400	140	120	6	90	30	40	1000	200	TO-59
2N6311	Болт	NPN	400	160	140	6	90	30	40	1000	200	TO-59
2N6320	PTH	NPN	300	140	120	6	80	30	40	1000	200	TO-3
2N6321	PTH	NPN	300	160	140	6	80	30	40	1000	200	TO-3
BDS16X	PTH	NPN	43.75	120	120	5	15	30	40	-	200	TO-257AB
BDS16XSMD05	SMD	NPN	43.75	120	120	5	15	30	40	-	200	TO-276AA
BDS17X	PTH	NPN	43.75	150	150	5	15	30	40	-	200	TO-257AB
BDS17XSMD	SMD	NPN	43.75	150	150	5	15	30	40	-	200	TO-276AB
BDS17XSMD05	SMD	NPN	43.75	150	150	5	15	30	40	-	200	TO-276AA
BUX35	PTH	NPN	140	250	120	6	15	70	40	-	200	TO-3
BUX36	PTH	NPN	140	250	200	6	15	70	40	-	200	TO-3