Справочник электронных компонентов

Транзистор BDS20SM

BDS20SM - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-252

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 50 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: -
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: -
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 5 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 8 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 1000
Емкость коллекторного перехода, Cc: -
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 200 гр.Ц

Транзистор BDS20SM можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2N6385	PTH	NPN	100	80	80	5	10	20	1000	200	200	TO-3
2N6385SMD05	SMD	NPN	100	80	80	5	10	20	1000	200	200	TO-276AA
BDS20	PTH	NPN	50	-	80	-	5	8	1000	-	200	TO-220
BDS20SMD	SMD	NPN	50	80	80	5	5	8	1000	-	200	TO-276AB
SM2174	PTH	NPN	80	-	80	-	15	20	1000	-	200	TO-220
SM3174	PTH	NPN	60	-	80	-	20	20	1000	-	200	TOP-3