Транзистор BDS29BN2
BDS29BN2 - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-276AB
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 150 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 90 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 90 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
- Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 30 А
- Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 4 МГц
- Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 1000
- Емкость коллекторного перехода, Cc: -
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 200 гр.Ц
Транзистор BDS29BN2 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pc, Вт |
Vcb, В |
Vce, В |
Veb, В |
Ic, А |
Ft, МГц |
Hfe |
Cc, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BDS29BM3A |
PTH |
NPN |
150 |
90 |
90 |
5 |
30 |
4 |
1000 |
- |
200 |
TO-254AA |
| BDS29CM3A |
PTH |
NPN |
150 |
120 |
120 |
5 |
30 |
4 |
1000 |
- |
200 |
TO-254AA |
| BDS29CN2 |
SMD |
NPN |
150 |
120 |
120 |
5 |
30 |
4 |
1000 |
- |
200 |
TO-276AB |