Справочник электронных компонентов

Транзистор BDV12

BDV12 - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 26 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 120 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: -
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: -
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 5 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 30 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 75
Емкость коллекторного перехода, Cc: -
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор BDV12 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2N5084	Болт	NPN	35	120	60	6	10	80	100	80	200	TO-59
2SC2987A	PTH	NPN	120	160	-	-	12	30	140	-	175	TO-3PN
2SC3181NO	PTH	NPN	80	120	120	5	8	30	80	190	200	TO-247
2SC3284	PTH	NPN	125	150	150	-	14	60	90	-	175	TO-218
2SC4029O	PTH	NPN	150	230	230	5	15	30	80	270	175	TO-264
BDV11	PTH	NPN	26	140	-	-	5	30	75	-	175	TO-220
BDY60B	PTH	NPN	30	120	60	5	5	30	80	-	175	TO-3
CP433	PTH	NPN	30	120	80	-	5	150	100	-	175	TO-3
ECG33	PTH	NPN	150	160	160	-	15	80	120	-	175	U7
ECG54	PTH	NPN	50	150	150	-	8	70	100	-	175	TO-220