Транзистор BF660
BF660 - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
- SMD-код: LEp, G8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 0.11 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 40 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 30 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 4 В
- Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 0.025 А
- Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 400 МГц
- Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 30
- Емкость коллекторного перехода, Cc: 0.6 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор BF660 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pc, Вт |
Vcb, В |
Vce, В |
Veb, В |
Ic, А |
Ft, МГц |
Hfe |
Cc, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BF509T |
PTH |
PNP |
0.25 |
40 |
35 |
4 |
0.03 |
500 |
35 |
0.5 |
150 |
TO-92 |
| BF606A |
PTH |
PNP |
0.3 |
40 |
30 |
4 |
0.025 |
400 |
30 |
0.3 |
150 |
TO-92 |
| BF660R |
SMD |
PNP |
0.11 |
40 |
30 |
4 |
0.025 |
400 |
90 |
0.6 |
150 |
SOT-23 |
| BF660W |
SMD |
PNP |
0.11 |
40 |
30 |
4 |
0.025 |
400 |
60 |
0.6 |
150 |
SOT-23 |
| BF926 |
PTH |
PNP |
0.3 |
40 |
30 |
4 |
0.025 |
850 |
30 |
0.5 |
150 |
TO-92 |