Справочник электронных компонентов

Транзистор BSP30T3

BSP30T3 - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SOT-23

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 1.5 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 70 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: -
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 1 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 400 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 40
Емкость коллекторного перехода, Cc: -
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор BSP30T3 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2N5153	PTH	PNP	12	100	80	5	5	560	70	-	200	TO-39
2N5153-220M	SMD	PNP	10	100	80	5	5	560	70	-	200	TO-252
2N5153S	PTH	PNP	10	100	80	5	5	560	70	-	200	TO-39
2N5153SM	SMD	PNP	10	100	80	5	5	560	70	-	200	TO-252
BSP30	SMD	PNP	1.5	70	60	-	1	400	40	-	150	SOT-89
BSP30T1	SMD	PNP	1.5	70	60	-	1	400	40	-	150	SOT-23